王炸!IBM宣布造出全球首颗2nm EUV芯片
IBM表示,在同样的电力消耗下,2nm EUV芯片的性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。
又一款里程碑来了!今日,IBM在半导体工艺上又一次实现世界性的技术突破,造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。官方表示,在核心指标方面,2nm芯片的晶体管密度为333.33,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。
换言之,在150平方毫米也就是指甲盖大小面积内,就能容纳500亿颗晶体管。
同时,IBM表示,在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。
实际上,IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的厂商,在电压等指标的定义上很早就拿下主导权。
回到此次的2nm上,采用的是GAA(环绕栅极晶体管)技术,三层。IBM介绍,这是第一次使用底介电隔离通道,它可以实现12 nm的栅长,其内部间隔是第二代干法设计,有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。
需要注意的是,IBM并没有自己的晶圆厂,2014年其制造工厂卖给了格芯,但两者签署了10年合作协议,另外,IBM也和三星、Intel保持合作。
关于GAA晶体管技术,三星3nm、Intel 5nm以及台积电2nm均将首次采用。
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- 编辑:王智
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