IBM全球首发2nm工艺芯片:性能比7nm芯片高45%
根据IBM的说法,2nm工艺预计在2024年量产,这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。
一直以为台积电会首发2nm工艺芯片,没想到被IBM给抢先了,这给美国公司赢回了足够的面子。据IBM官方表示,这款芯片使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/mm2,能在指甲盖大小(150mm)的芯片上安装500亿个晶体管。
不过仔细算算的话,IBM 2nm工艺的晶体管密度优势没有多大,最终比台积电3nm工艺领先多少还不好说,毕竟后者也有2nm GAA工艺没发。
性能方面,IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。
还有一些细节,那就是IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈,高度75nm,宽度40nm,栅极长12nm,纳米片高度5nm——里面没有一个参数是2nm的,因为2nm的命名还是沿用了传统2D晶体管的标准。
在台积电的2nm工艺还在研发阶段没有公布技术细节的情况下,IBM这次在美国的实验室率先推出了2nm技术是很有象征意义的,美国现在也在努力夺回半导体工艺领先地位,IBM的2nm工艺给了信心。
不过IBM量产2nm工艺的难度也不小,因为现在这个技术还是实验室生产的,IBM没有大规模生产的条件了,这次2nm工艺还有三星、Intel的参与,后面两家有可能吸纳2nm工艺技术(至少是部分)。
根据IBM的说法,2nm工艺预计在2024年量产,这个时间点正好卡在台积电2nm工艺量产的范围内。
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- 编辑:王智
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